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2N5367 /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Vcbo 40V 40Vceo 4.0Vebo 300mA 625mW
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Central Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-92-3

晶体管极性:PNP

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V

集电极—基极电压 VCBO:40 V

发射极 - 基极电压 VEBO:4 V

集电极—射极饱和电压:1 V

增益带宽产品fT:250 MHz

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Bulk

商标:Central Semiconductor

集电极连续电流:300 mA

直流集电极/Base Gain hfe Min:75 at 300 mA, 5 V

Pd-功率耗散:625 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:2500

子类别:Transistors

零件号别名:2N5367 PBFREE

单位重量:206 mg

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2N5367Central Semiconductor双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Vcbo 40V 40Vceo 4.0Vebo 300mA 625mW1:¥6.3732
10:¥5.5144
100:¥3.8194
1,000:¥2.8476