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2N3819 /射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-CH -25V 10mA BULK Engineering Hold
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Central Semiconductor

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:

晶体管类型:JFET

技术:Si

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:25 V

Vgs-栅源极击穿电压 :25 V

Id-连续漏极电流:20 mA

Pd-功率耗散:360 mW

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-92

封装:Bulk

配置:Single

产品:RF JFET

系列:2N3819

类型:JFET

商标:Central Semiconductor

产品类型:RF JFET Transistors

工厂包装数量:2500

子类别:Transistors

单位重量:453.600 mg

供应商2N3819
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2N3819SFET RF,VHF, UHF, Amplitiers FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO196.11 Kbytes共2页2N3819的PDF下载地址SD3931-10,MMBTH69LT1,TDA5732M,SD2932,3SK257,TA4001F,1SV264,BB515,MMBTH10,BB402M
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