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2N3789 /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP GP Power
2N3789的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Central Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-3-2

晶体管极性:PNP

集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V

集电极—基极电压 VCBO:60 V

发射极 - 基极电压 VEBO:7 V

集电极—射极饱和电压:1 V

最大直流电集电极电流:10 A

增益带宽产品fT:4 MHz

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:2N3789

封装:Tube

商标:Central Semiconductor

集电极连续电流:10 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:25

Pd-功率耗散:150 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:20

子类别:Transistors

零件号别名:2N3789 PBFREE

单位重量:6.401 g

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