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2N3209 /Small Signal Transistors
2N3209的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

产品种类Transistors Bipolar (BJT)

晶体管极性PNP

集电极—发射极最大电压 VCEO20 V

发射极 - 基极电压 VEBO4 V

直流集电极/Base Gain hfe Min25

配置Single

最大工作频率400 MHz

安装风格Through Hole

封装 / 箱体TO-18

封装Box

工厂包装数量2000

供应商2N3209
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