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2N3134 /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50Vcbo 35Vceo 4.0Vebo 150mA 10pF
2N3134的规格信息
2N3134的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Central Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-39-3

晶体管极性:PNP

配置:Single

集电极—基极电压 VCBO:50 V

发射极 - 基极电压 VEBO:4 V

集电极—射极饱和电压:0.6 V

增益带宽产品fT:200 MHz

系列:2N3134

直流电流增益 hFE 最大值:300

封装:Bulk

商标:Central Semiconductor

直流集电极/Base Gain hfe Min:100

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:200

子类别:Transistors

供应商2N3134
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10:￥52.7936
25:￥48.1041
100:￥43.4146
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