型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
25N06L-TN3 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):35A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:31mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:N沟道 | VBsemi(台湾微碧) |  | 1.32 Mbytes | 共6页 |  | 无 |
25N06L-TN3-R | 25A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET | UTC[Unisonic Technologies] | ![UTC[Unisonic Technologies]的LOGO](/PdfSupLogo/171UTC.GIF) | 186.89 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
25N06L-TN3-R | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | ![VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO](/PdfSupLogo/1345VBSEMI.GIF) | 896.98 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
25N06L-TN3-T | 25A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET | UTC[Unisonic Technologies] | ![UTC[Unisonic Technologies]的LOGO](/PdfSupLogo/171UTC.GIF) | 186.89 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
25N06L-TN3-T | N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | ![VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO](/PdfSupLogo/1345VBSEMI.GIF) | 896.92 Kbytes | 共6页 |  | 无 |