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20N06-252 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W(Tc) 类型：N沟道

20N06-252的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）60V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）20A(Tc)

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻60mΩ @ 10A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）40W(Tc)

类型N沟道

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立创商城	20N06-252	GOFORD(谷峰)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥1.0969 10+:￥0.797 30+:￥0.742 100+:￥0.6869 500+:￥0.6624 1000+:￥0.6503

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