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20N06-252 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W(Tc) 类型：N沟道

20N06-252的规格信息

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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）60V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）20A(Tc)

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻60mΩ @ 10A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）40W(Tc)

类型N沟道

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深圳市芯幂科技有限公司	20N06-252	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	20N06-252	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
上海山峻电子有限公司	20N06-252	上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层	13818988389 17621743344	樊勉	询价
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深圳市物量万芯科技有限公司	20N06-252	深圳市福田区华强北街道赛格广场6507AB	0755-82715430 18194045272	朱先生	询价

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立创商城	20N06-252	GOFORD(谷峰)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥1.0969 10+:￥0.797 30+:￥0.742 100+:￥0.6869 500+:￥0.6624 1000+:￥0.6503

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