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20N06-252 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道
20N06-252的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)20A(Tc)

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻60mΩ @ 10A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)40W(Tc)

类型N沟道

供应商20N06-252
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20N06-252GOFORD(谷峰)连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道1+:¥1.0969
10+:¥0.797
30+:¥0.742
100+:¥0.6869
500+:¥0.6624
1000+:¥0.6503