20N03的供应商，20N03规格参数，20N03的PDF资料

20N03 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：7mΩ @ 21.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.25W 类型：N沟道

20N03的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）30V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）21.8A

栅源极阈值电压2V @ 250uA

漏源导通电阻7mΩ @ 21.8A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）3.25W

类型N沟道

20N03

20N03的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市坤融电子有限公司	20N03L	航都大厦10I	0755-23990975 17318082080，13510287235	肖瑶，树平	询价
深圳市芯幂科技有限公司	20N03	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	20N03	深圳市福田区中航路都会轩2406	0755-82573210 18124040553	杨丹妮	询价
深圳市宸远科技有限公司	20N03L 其他被动元件	深圳市福田区华强北街道中航北苑B座9B4	0755-23481624 19068068798，15338712396	彭先生，许娜	询价
集好芯城	20N03J	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	20N03	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈玲玲	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	20N03L TO252-VB	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	20N03	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	20N03	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳诚思涵科技有限公司	20N03HL	深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室	0755-23947236/83015506 15302723671/15820783671	曾小姐	询价
深圳市微碧半导体有限公司	20N03GP-VB	深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋东5层502	0755-83204141 18118747668	许小姐	询价
万三科技（深圳）有限公司	20N03	深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C	0755-23763516，18818598465 18818598465	王俊杰	询价
深圳市惊羽科技有限公司	20N03LTO252	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价
深圳市金华微盛电子有限公司	20N03	深圳市福田区中航路新亚洲2期N4A131	13510157626 13510157626	柯小姐	询价
深圳市威雅利发展有限公司	20N03L	华强北路1019号华强广场A16楼	18124047120 18124047120	韩雪	询价
深圳市福田区捷芯高科电子商行	20N03S	深圳市福田区华强广场B,C,D座6层H6E121	0755-83392858 13926593921	黄生	询价

20N03及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
20N03	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	288.56 Kbytes	共2页	无
20N03	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	1015.16 Kbytes	共8页	无
20N03HL	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	1015.46 Kbytes	共8页	无
20N03J	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	959.95 Kbytes	共8页	无
20N03L	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	1015.22 Kbytes	共8页	无
20N03L TO252	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：7mΩ @ 21.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.25W 类型：N沟道	VBsemi(台湾微碧)	841.50 Kbytes	共8页	无

20N03的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	20N03	VBsemi(台湾微碧)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：7mΩ @ 21.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.25W 类型：N沟道	1+:￥0.9764 10+:￥0.7215 30+:￥0.6747 100+:￥0.6279 500+:￥0.6071 1000+:￥0.5968
立创商城	20N03L TO252	VBsemi(台湾微碧)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：7mΩ @ 21.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.25W 类型：N沟道	1+:￥0.996 10+:￥0.7489 30+:￥0.7035 100+:￥0.6581 500+:￥0.6379 1000+:￥0.628

20N03的相关型号