12N65KL-TF1-T
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:750mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):51W 类型:N沟道
12N65KL-TF1-T的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)12A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻750mΩ @ 6A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)51W
类型N沟道
12N65KL-TF1-T
12N65KL-TF1-T的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | 12N65KL-TF1-T | UTC(友顺) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:750mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):51W 类型:N沟道 | 1+:¥3.14 10+:¥2.36 30+:¥2.22 100+:¥2.07
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