12N65F
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：700mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：55W(Tc) 类型：N沟道
12N65F的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）12A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻700mΩ @ 6A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）55W(Tc)
类型N沟道
12N65F
12N65F的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
立创商城 | 12N65F | PINGWEI(平伟) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：700mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：55W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥3.78
10+:￥2.73
30+:￥2.54
100+:￥2.35
500+:￥2.26
1000+:￥2.22
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