10N80L-TF2-T
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.1Ω @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):66W(Tc) 类型:N沟道
10N80L-TF2-T的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)10A(Tc)
栅源极阈值电压5V @ 250uA
漏源导通电阻1.1Ω @ 5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)66W(Tc)
类型N沟道
10N80L-TF2-T
10N80L-TF2-T的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | 10N80L-TF2-T | UTC(友顺) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.1Ω @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):66W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥5.2 10+:¥3.9 30+:¥3.66 100+:¥3.42
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