10N65KL-TF3-T
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.2Ω @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:N沟道
10N65KL-TF3-T的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)10A
栅源极阈值电压4.5V @ 250uA
漏源导通电阻1.2Ω @ 5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)50W
类型N沟道
10N65KL-TF3-T
10N65KL-TF3-T的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | 10N65KL-TF3-T | UTC(友顺) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.2Ω @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:N沟道 | 1+:¥2.9 10+:¥2.17 30+:¥2.04 100+:¥1.91
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