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10N65KL-TF3-T /连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.2Ω @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:N沟道
10N65KL-TF3-T的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)650V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)10A

栅源极阈值电压4.5V @ 250uA

漏源导通电阻1.2Ω @ 5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)50W

类型N沟道

供应商10N65KL-TF3-T
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10N65KL-TF3-TUTC(友顺)连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.2Ω @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:N沟道1+:¥2.9
10+:¥2.17
30+:¥2.04
100+:¥1.91