标准包装：3,000
类别：分立半导体产品
家庭：FET - 单
系列：-
包装：带卷（TR）
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：750mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：350 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：130pF @ 5V
功率 - 最大值：400mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
其它名称：MGSF1P02LT1OSTR