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D1017UK /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 150W-28V-175MHz SE

D1017UK的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:TT Electronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:30 A

Vds-漏源极击穿电压:70 V

增益:13 dB

输出功率:150 W

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DM

配置:Single

工作频率:175 MHz

类型:RF Power MOSFET

商标:Semelab / TT Electronics

Pd-功率耗散:220 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:25

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V

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D1017UK及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
D1017UK	METAL GATE RF SILICON FET	SEME-LAB[Seme LAB]		223.12 Kbytes	共5页		D1010UK,D1031UK,D1212UK,D2012UK,D2211UK,D2293UK,D5028UK,D1011UK,D1053UK,D1213UK

D1017UK的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Mouser 贸泽电子	D1017UK	Semelab / TT Electronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 150W-28V-175MHz SE	1:¥905.8645 10:¥796.5257 25:¥708.0015 50:¥635.1617

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