制造商:TT Electronics
产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性:N-Channel
技术:Si
Id-连续漏极电流:15 A
Vds-漏源极击穿电压:70 V
增益:10 dB
输出功率:100 W
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:DH
配置:Dual
高度:5.08 mm
长度:30.48 mm
工作频率:500 MHz
类型:RF Power MOSFET
宽度:19.17 mm
商标:Semelab / TT Electronics
通道模式:Enhancement
Pd-功率耗散:290 W
产品类型:RF MOSFET Transistors
工厂包装数量:25
子类别:MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V