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SS8550(SOT89-3L)中文PDF资料

	SS8550(SOT89-3L)
功能描述：	晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：500mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@800mA,80mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：400@100mA,1V
PDF文件大小：	1.67 Mbytes
PDF页数：	共5页
制造商：	HXY MOSFET(华轩阳电子)
制造商LOGO：
制造商网址：	https://www.hxymos.com/
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