Rohs：Contains lead / RoHS non-compliant
标准包装：3,000
晶体管类型：PNP + Diode (Isolated)
- 集电极电流（Ic）（最大）：1.25A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：12V
Vce饱和（最大）@ IB，IC：240mV @ 100mA, 1.25A
电流 - 集电极截止（最大）：10nA
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：200 @ 500mA, 2V
功率 - 最大：885mW
频率转换：220MHz
安装类型
：Surface Mount
包/盒
：SOT-23-6
供应商器件封装：SOT-23-6
包装材料
：Tape & Reel (TR)
包装：6SOT-23
类型：PNP
引脚数：6
最大集电极发射极电压：12 V
集电极最大直流电流：1.25 A
最小直流电流增益：300@10mA@2V|300@100mA@2V|200@500mA@2V|125@1.25A@2V|75@2A@2V|30@3A@2V
最大工作频率：220(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压：0.04@10mA@0.1A|0.1@10mA@0.25A|0.175@10mA@0.5A|0.215@50mA@1A|0.24@100mA@1.25A V
工作温度：-55 to 125 °C
最大功率耗散：885 mW
安装：Surface Mount
标准包装：Tape & Reel
产品种类：Transistors Bipolar - BJT
RoHS：RoHS Compliant
配置：Single
晶体管极性：PNP
集电极 - 基极电压VCBO：12 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO：12 V
发射极 - 基极电压VEBO：5 V
增益带宽产品fT：220 MHz
直流集电极/增益hfe最小值：300 at 10 mA at 2 V, 300 at 100 mA at 2 V, 200 at 500 mA at 2 V, 125 at 1.25 A at 2 V, 75 at 2 A at 2 V, 30 at 3 A at 2 V
最高工作温度：+ 125 C
安装风格：SMD/SMT
封装/外壳：SOT-23-6
直流电流增益hFE最大值：300 at 10 mA at 2 V
封装：Reel
工厂包装数量：3000
电流 - 集电极（ Ic）（最大）：1.25A
晶体管类型：PNP + Diode (Isolated)
安装类型：Surface Mount
频率 - 转换：220MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：240mV @ 100mA, 1.25A
电流 - 集电极截止（最大）：10nA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：12V
供应商设备封装：SOT-23-6
功率 - 最大：885mW
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：200 @ 500mA, 2V