标准包装：3,000
晶体管类型：NPN
集电极电流（Ic）（最大）：600mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：160V
Vce饱和（最大）@ IB，IC：200mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止（最大）：-
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：80 @ 10mA, 5V
功率 - 最大：330mW
频率转换：130MHz
安装类型
：Surface Mount
包/盒
：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3
包装材料
：Tape & Reel (TR)
动态目录：NPN Transistors###/catalog/en/partgroup/npn-transistors/14684?mpart=ZXTN5551FLTA&vendor=31&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；
包装：3SOT-23
类型：NPN
引脚数：3
最大集电极发射极电压：160 V
集电极最大直流电流：0.6 A
最小直流电流增益：80@1mA@5V|80@10mA@5V|30@50mA@5V
最大工作频率：130(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压：0.15@1mA@10mA|0.2@5mA@50mA V
最大集电极基极电压：180 V
工作温度：-55 to 150 °C
最大功率耗散：330 mW
安装：Surface Mount
标准包装：Tape & Reel
集电极最大直流电流：0.6
最低工作温度：-55
Maximum Transition Frequency ：130(Typ)
包装宽度：1.4(Max)
PCB：3
最大功率耗散：330
欧盟RoHS指令：Compliant
每个芯片的元件数：1
最大集电极基极电压：180
最大集电极发射极电压：160
供应商封装形式：SOT-23
标准包装名称：SOT-23
最高工作温度：150
包装长度：3.04(Max)
包装高度：1.02(Max)
最大基地发射极电压：6
封装：Tape and Reel
铅形状：Gull-wing
单位包：3000
最小起订量：3000
电流 - 集电极（ Ic）（最大）：600mA
晶体管类型：NPN
安装类型：Surface Mount
频率 - 转换：130MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：200mV @ 5mA, 50mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：160V
供应商设备封装：SOT-23-3
功率 - 最大：330mW
封装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：80 @ 10mA, 5V
其他名称：ZXTN5551FLTR
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量：3000
增益带宽产品fT：130 MHz
产品种类：Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性：NPN
发射极 - 基极电压VEBO：6 V
直流集电极/增益hfe最小值：80 at 1 mA at 5 V, 80 at 10 mA at 5 V, 30 at 50 mA at 5 V
直流电流增益hFE最大值：80 at 1 mA at 5 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO：160 V
安装风格：SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO：180 V
最低工作温度：- 55 C
配置：Single
最高工作温度：+ 150 C
RoHS：RoHS Compliant
集电极电流（ DC）（最大值）：0.6 A
集电极 - 基极电压：180 V
集电极 - 发射极电压：160 V
发射极 - 基极电压：6 V
频率：130 MHz
功率耗散：0.33 W
工作温度范围：-55C to 150C