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ZXTDBM832TA / Transistors Bipolar - BJT 20V NPN 3X2 MLP
ZXTDBM832TA的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

产品更改通知:MLP322, 832 Pkg Discontinuation 20/Dec/2010

标准包装:3,000

晶体管类型:2 NPN (Dual)

集电极电流(Ic)(最大):4.5A

电压 - 集电极发射极击穿(最大):20V

Vce饱和(最大)@ IB,IC:270mV @ 125mA, 4.5A

电流 - 集电极截止(最大):25nA

直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE:200 @ 2A, 2V

功率 - 最大:1.7W

频率转换:140MHz

安装类型 :Surface Mount

包/盒 :8-MLP

供应商器件封装:8-MLP (3x2)

包装材料 :Tape & Reel (TR);;其他的名称;

集电极最大直流电流:5

最小直流电流增益:200@10mA@2V|300@0.2A@2V|200@2A@2V...

欧盟RoHS指令:Compliant

最高工作温度:150

最大集电极基极电压:40

最低工作温度:-55

包装高度:1(Max)

安装:Surface Mount

最大功率耗散:3000

最大基地发射极电压:7.5

Maximum Transition Frequency :140(Typ)

封装:Tape and Reel

PCB:8

每个芯片的元件数:2

包装宽度:2

供应商封装形式:MLP

包装长度:3

最大集电极发射极电压:20

类型:NPN

引脚数:8

电流 - 集电极( Ic)(最大):4.5A

晶体管类型:2 NPN (Dual)

安装类型:Surface Mount

频率 - 转换:140MHz

下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件:270mV @ 125mA, 4.5A

电流 - 集电极截止(最大):25nA

标准包装:3,000

电压 - 集电极发射极击穿(最大):20V

供应商设备封装:8-MLP (3x2)

功率 - 最大:1.7W

封装/外壳:8-MLP

直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时:200 @ 2A, 2V

其他名称:ZXTDBM832TATR

RoHS指令:Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量:3000

集电极 - 发射极饱和电压:210 mV

产品种类:Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性:NPN

发射极 - 基极电压VEBO:7.5 V

最大功率耗散:1.5 W

直流集电极/增益hfe最小值:200 at 10 mA at 2 V, 300 at 0.2 A at 2 V, 200 at 2 A at 2 V, 100 at 6 A at 2 V

直流电流增益hFE最大值:200

增益带宽产品fT:140 MHz

集电极 - 发射极最大电压VCEO:20 V

安装风格:SMD/SMT

集电极 - 基极电压VCBO:40 V

最低工作温度:- 55 C

集电极最大直流电流:5 A

配置:Dual

最高工作温度:+ 150 C

供应商ZXTDBM832TA
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