标准包装：4,000
晶体管类型：2 NPN (Dual)
集电极电流（Ic）（最大）：3A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
Vce饱和（最大）@ IB，IC：250mV @ 50mA, 3A
电流 - 集电极截止（最大）：100nA
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：300 @ 1A, 2V
功率 - 最大：1.04W
频率转换：132MHz
安装类型
：Surface Mount
包/盒
：8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm 宽度
)
供应商器件封装：8-MSOP
包装材料
：Tape & Reel (TR)
包装：8MSOP
类型：NPN
引脚数：8
最大集电极发射极电压：50 V
集电极最大直流电流：3 A
最小直流电流增益：250@10mA@2V|300@1A@2V|150@3A@2V|50@5A@2V
最大工作频率：132(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压：0.013@10mA@0.1A|0.12@10mA@1A|0.25@50mA@3A|0.175@300mA@3A V
最大集电极基极电压：100 V
工作温度：-55 to 150 °C
最大功率耗散：1250 mW
安装：Surface Mount
标准包装：Tape & Reel
单位包：4000
最小起订量：4000
电流 - 集电极（ Ic）（最大）：3A
晶体管类型：2 NPN (Dual)
安装类型：Surface Mount
频率 - 转换：132MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：250mV @ 50mA, 3A
电流 - 集电极截止（最大）：100nA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
供应商设备封装：8-MSOP
封装：Tape & Reel (TR)
功率 - 最大：1.04W
封装/外壳：8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：300 @ 1A, 2V
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量：4000
集电极 - 发射极饱和电压：135 mV
产品种类：Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性：PNP
发射极 - 基极电压VEBO：7.5 V
直流集电极/增益hfe最小值：250 at 10 mA at 2 V, 300 at 1 A at 2 V, 150 at 3 A at 2 V, 50 at 5 A at 2 V
直流电流增益hFE最大值：250 at 10 mA at 2 V
增益带宽产品fT：132 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO：50 V
安装风格：SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO：100 V
最低工作温度：- 55 C
配置：Dual
最高工作温度：+ 150 C