Rohs：Lead free / RoHS Compliant

标准包装：2,000

晶体管类型：PNP

- 集电极电流（Ic）（最大）：2A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：35V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：500mV @ 200mA, 2A

电流 - 集电极截止（最大）：-

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：100 @ 1A, 2V

功率 - 最大：1W

频率转换：100MHz

安装类型 ：Through Hole

包/盒 ：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

供应商器件封装：TO-226

包装材料 ：Tape & Reel (TR)

包装：3TO-226

类型：PNP

引脚数：3

最大集电极发射极电压：35 V

集电极最大直流电流：2 A

最小直流电流增益：70@50mA@2V|100@1A@2V|75@2A@2V|15@6A@2V

最大集电极发射极饱和电压：0.3@100mA@1A|0.5@200mA@2A V

最大集电极基极电压：45 V

工作温度：-55 to 150 °C

最大功率耗散：1000 mW

安装：Through Hole

标准包装：Tape & Reel

集电极最大直流电流：2

欧盟RoHS指令：Compliant

最高工作温度：150

最大集电极基极电压：45

最低工作温度：-55

包装高度：7.87(Max)

最大功率耗散：1000

最大基地发射极电压：5

封装：Tape and Reel

PCB：3

每个芯片的元件数：1

包装宽度：3.93(Max)

供应商封装形式：TO-226

包装长度：4.7(Max)

最大集电极发射极电压：35

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：2A

晶体管类型：PNP

安装类型：Through Hole

频率 - 转换：100MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：500mV @ 200mA, 2A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：35V

供应商设备封装：E-Line (TO-92 compatible)

功率 - 最大：1W

封装/外壳：E-Line-3, Formed Leads

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：100 @ 1A, 2V

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant