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ZTD09N50DE6QTA /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50V Dual NPN Low Sat 1A 7V Vebo
ZTD09N50DE6QTA的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-26-6

晶体管极性:NPN

配置:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V

集电极—基极电压 VCBO:50 V

发射极 - 基极电压 VEBO:7 V

集电极—射极饱和电压:24 mV

最大直流电集电极电流:1 A

增益带宽产品fT:215 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:ZTD09N50

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:Diodes Incorporated

直流集电极/Base Gain hfe Min:200 at 10 mA, 2 V

Pd-功率耗散:700 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

资格:AEC-Q101

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

单位重量:15 mg

供应商ZTD09N50DE6QTA
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