Rohs：Lead free / RoHS Compliant
标准包装：1,000
晶体管类型：2 NPN + 2 PNP (H-Bridge)
- 集电极电流（Ic）（最大）：1A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：70V
Vce饱和（最大）@ IB，IC：750mV @ 50mA, 2A
电流 - 集电极截止（最大）：-
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：300 @ 100mA, 2V
功率 - 最大：1.25W
频率转换：100MHz
安装类型
：Surface Mount
包/盒
：SOT-223-8
供应商器件封装：SOT-223
包装材料
：Tape & Reel (TR)
包装：8SM8
类型：NPN|PNP
引脚数：8
最大集电极发射极电压：70 V
集电极最大直流电流：1 A
最小直流电流增益：500@100mA@2V@NPN|400@500mA@2V@NPN|150@1A@2V@NPN|300@10mA@2V@PNP|250@500mA@2V@PNP|200@1A@2V@PNP
最大工作频率：150(Min)@NPN|100(Min)@PNP MHz
最大集电极发射极饱和电压：0.15@0.5mA@0.1A@NPN|0.5@10mA@1A@NPN|0.45@5mA@500mA@PNP|0.5@25mA@1A@PNP V
工作温度：-55 to 150 °C
最大功率耗散：2000 mW
安装：Surface Mount
标准包装：Tape & Reel
集电极最大直流电流：1
欧盟RoHS指令：Compliant
最高工作温度：150
最大集电极基极电压：70
最低工作温度：-55
包装高度：1.6(Max)
最大功率耗散：2000
最大基地发射极电压：5
Maximum Transition Frequency ：150(Min)@NPN|100(Min)@PNP
封装：Tape and Reel
PCB：8
每个芯片的元件数：4
包装宽度：3.7(Max)
供应商封装形式：SM8
包装长度：6.7(Max)
最大集电极发射极电压：70
P（ TOT ）：1.25W
匹配代码：ZHB6792
I（C ）：1A
V（ CEO ）：70V
单位包：1000
标准的提前期：16 weeks
最小起订量：1000
极化：NPN/PNP
无铅Defin：RoHS-conform
电流增益：400
V（ CBO ）：70V
电流 - 集电极（ Ic）（最大）：1A
晶体管类型：2 NPN, 2 PNP (H-Bridge)
安装类型：Surface Mount
频率 - 转换：100MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：750mV @ 50mA, 2A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：70V
供应商设备封装：SOT-223
功率 - 最大：1.25W
封装/外壳：SOT-223-8
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：300 @ 100mA, 2V
其他名称：ZHB6792TR
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量：1000
集电极 - 发射极饱和电压：- 0.5 V
产品种类：Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性：NPN/PNP
发射极 - 基极电压VEBO：5 V
直流集电极/增益hfe最小值：500 at 100 mA at 2 V at NPN, 400 at 500 mA at 2 V at NPN, 150 at 1 A at 2 V at NPN, 300 at 10 mA at 2 V at PNP, 250 at 500 mA at 2 V at PNP, 200 at 1 A at 2 V at PNP
直流电流增益hFE最大值：500
增益带宽产品fT：100 MHz, 150 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO：70 V
安装风格：SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO：70 V
最低工作温度：- 55 C