Rohs：Lead free / RoHS Compliant

标准包装：4,000

FET 型 ：2 N-Channel (Dual)

FET特点：Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：60V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：1A

Rds（最大）@ ID，VGS：1 Ohm @ 1.5A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：3V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：-

输入电容（Ciss）@ Vds的：100pF @ 25V

功率 - 最大：2.25W

安装类型 ：Surface Mount

包/盒 ：SOT-223-8

供应商器件封装：SOT-223

包装材料 ：Tape & Reel (TR)

FET特点：Logic Level Gate

封装：Tape & Reel (TR)

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：1A

的Vgs（th ） （最大）@ Id：3V @ 1mA

供应商设备封装：SOT-223

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：1 Ohm @ 1.5A, 10V

FET型：2 N-Channel (Dual)

功率 - 最大：2.25W

标准包装：4,000

漏极至源极电压（Vdss）：60V

输入电容（Ciss ） @ VDS：100pF @ 25V

封装/外壳：SOT-223-8