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XPN9R614MC,L1XHQ /MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON
XPN9R614MC,L1XHQ的规格信息
XPN9R614MC,L1XHQ的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

SeriesU-MOSVI

PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®

FET TypeP-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)40 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs9.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs64 nC @ 10 V

Vgs (Max)+10V, -20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3000 pF @ 10 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)840mW (Ta), 100W (Tc)

Operating Temperature175°C

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device Package8-TSON Advance (3.3x3.6)

Package / Case8-PowerVDFN

供应商XPN9R614MC,L1XHQ
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