Rohs：Lead free / RoHS Compliant
标准包装：3,000
晶体管类型：PNP - Pre-Biased + Diode
- 集电极电流（Ic）（最大）：100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
电阻 - 基地（R1）（欧姆）：4.7k
电阻器 - 发射基地（R2）（欧姆）：4.7k
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：20 @ 5mA, 10V
Vce饱和（最大）@ IB，IC：250mV @ 300µA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大）：500nA
频率转换：80MHz
功率 - 最大：150mW
安装类型
：Surface Mount
包/盒
：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装：SMINI6-G1
包装材料
：Tape & Reel (TR)
电流 - 集电极（ Ic）（最大）：100mA
晶体管类型：PNP - Pre-Biased + Diode
频率 - 转换：80MHz
电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆）：4.7k
电流 - 集电极截止（最大）：500nA
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：250mV @ 300µA, 10mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
供应商设备封装：SMINI6-G1
封装：Tape & Reel (TR)
电阻器 - 发射极基（ R 2 ） （欧姆）：4.7k
功率 - 最大：150mW
标准包装：3,000
封装/外壳：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
安装类型：Surface Mount
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：20 @ 5mA, 10V
其他名称：XP0NG8A00LTR
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant