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XNA19N60T /栅极阈值电压-VGE(th):6.5V @ 250uA 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2V @ 15V,19A 集电极电流(Ic)(最大值):19A 集射极击穿电压(最大值):600V 类型:场截止
XNA19N60T的规格信息
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商品类型IGBT管

集电极电流(Ic)(最大值)19A

集射极击穿电压(最大值)600V

类型场截止

不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)2V @ 15V,19A

栅极阈值电压-VGE(th)6.5V @ 250uA

供应商XNA19N60T
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XNA19N60T栅极阈值电压-VGE(th):6.5V @ 250uA 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2V @ 15V,19A 集电极电流(Ic)(最大值):19A 集射极击穿电压(最大值):600V 类型:场截止Xiner(芯能半导体)Xiner(芯能半导体)的LOGO644.12 Kbytes共1页XNA19N60T的PDF下载地址
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XNA19N60TXiner(芯能半导体)栅极阈值电压-VGE(th):6.5V @ 250uA 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2V @ 15V,19A 集电极电流(Ic)(最大值):19A 集射极击穿电压(最大值):600V 类型:场截止1+:¥5.12
10+:¥3.7
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