FET 类型P 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）12V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）1.2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.3V @ 1mA

Vgs（最大值）±15V

FET 功能肖特基二极管（隔离式）

功率耗散（最大值）600mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）450 毫欧 @ 800mA，4V

工作温度125°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装迷你型5-G1

封装/外壳SC-74A，SOT-753

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs