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XN0421F00L /
XN0421F00L的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极(Ic)(最大值)100mA

电压 - 集射极击穿(最大值)50V

电阻器 - 基底(R1)4.7 千欧

电阻器 - 发射极基底(R2)10 千欧

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)30 @ 5mA,10V

不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)250mV @ 300µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值)500nA

频率 - 跃迁150MHz

功率 - 最大值300mW

安装类型表面贴装

封装/外壳SOT-23-6

供应商器件封装MINI6-G1

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs

供应商XN0421F00L
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XN0421F00LPanasonic Corporation晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 - 分立半导体产品3000+:¥0.62
6000+:¥0.59
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