FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）70A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）45nC @ 10V

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）3100pF @ 50V

功率耗散（最大值）85W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）10 毫欧 @ 40A，10V

工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型表面贴装

封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

射频系列/标准蓝牙，WiFi

协议802.11a/b/g/n，蓝牙 4.2

频率2.4GHz，5GHz

数据速率433.3Mbps

功率 - 输出14dBm

灵敏度-87dBm

串行接口SPI

使用的 IC/零件88W8887

电压 - 电源3.3V

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs