WST8205
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 5.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.1W 类型:N沟道
WST8205的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)5.8A
栅源极阈值电压1.2V @ 250uA
漏源导通电阻28mΩ @ 5.5A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)2.1W
类型N沟道
WST8205
WST8205及相关型号的PDF资料
型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
WST8205 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 5.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.1W 类型:N沟道 | WINSOK微硕 |  | 990.34 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
WST8205的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | WST8205 | WINSOK微硕 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 5.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.1W 类型:N沟道 | 5+:¥0.497958 50+:¥0.376815 150+:¥0.354564 500+:¥0.332313 2500+:¥0.322424 5000+:¥0.317537
|