WSP4886
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:24mΩ @ 8.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道
WSP4886的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)8.5A(Tc)
栅源极阈值电压1.2V @ 250uA
漏源导通电阻24mΩ @ 8.8A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)2W
类型双N沟道
WSP4886
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WSP4886 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:24mΩ @ 8.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道 | WINSOK微硕 |  | 1.18 Mbytes | 共5页 |  | 无 |
WSP4886的全球分销商及价格
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 立创商城 | WSP4886 | WINSOK微硕 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:24mΩ @ 8.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道 | 1+:¥1.4307 10+:¥1.0559 30+:¥0.987 100+:¥0.9182 500+:¥0.8876 1000+:¥0.8725
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