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WSF15P10 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:190mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:P沟道
WSF15P10的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)100V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)13A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻190mΩ @ 5.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)50W(Tc)

类型P沟道

供应商WSF15P10
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WSF15P10连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:190mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:P沟道WINSOK微硕WINSOK微硕的LOGO903.24 Kbytes共5页WSF15P10的PDF下载地址
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WSF15P10WINSOK微硕连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:190mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:P沟道1+:¥1.5051
10+:¥1.1053
30+:¥1.0318
100+:¥0.9584
500+:¥0.9258
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