WSE3099
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W(Tc) 类型：P沟道
WSE3099的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）5A(Tc)
栅源极阈值电压2V @ 250uA
漏源导通电阻65mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）1.8W(Tc)
类型P沟道
WSE3099
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| WSE3099 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W(Tc) 类型：P沟道 | WINSOK微硕 |  | 805.16 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
WSE3099的全球分销商及价格
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立创商城 | WSE3099 | WINSOK微硕 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W(Tc) 类型：P沟道 | 1+:￥1.5
10+:￥1.2002
30+:￥1.1451
100+:￥1.09
500+:￥1.0655
1000+:￥1.0534
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