FET类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）2.5A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）10V

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）48nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）850pF @ 30V

Vgs（最大值）±30V

功率耗散（最大值）3W（Ta），55W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）10.5 欧姆 @ 1.5A，10V

工作温度150°C（TJ）

安装类型通孔

封装/外壳TO-3P-3 整包

封装形式PackageTO-3PF

极性PolarityN-CH

漏源极击穿电压VDSS1700V

连续漏极电流ID3A

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）48nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）850pF @ 30V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）10.5 欧姆 @ 1.5A，10V

FET 类型N 沟道

漏源极电压（Vdss）1700V（1.7KV）

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）2.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs