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VSI008N10MS /连续漏极电流(Id)(25°C 时):94A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:10.5mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):107W 类型:N沟道
VSI008N10MS的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)100V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)94A

栅源极阈值电压2.3V @ 250uA

漏源导通电阻10.5mΩ @ 15A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)107W

类型N沟道

供应商VSI008N10MS
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VSI008N10MS连续漏极电流(Id)(25°C 时):94A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:10.5mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):107W 类型:N沟道Vanguard(威兆)Vanguard(威兆)的LOGO376.58 Kbytes共6页VSI008N10MS的PDF下载地址
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VSI008N10MSVanguard(威兆)连续漏极电流(Id)(25°C 时):94A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:10.5mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):107W 类型:N沟道1+:¥3.61
10+:¥2.71
30+:¥2.54
100+:¥2.38
500+:¥2.31
1000+:¥2.27