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VSE090N10MS /连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:103mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W 类型:N沟道
VSE090N10MS的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)100V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)14A

栅源极阈值电压2.4V @ 250uA

漏源导通电阻103mΩ @ 5A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)30W

类型N沟道

供应商VSE090N10MS
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VSE090N10MS连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:103mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W 类型:N沟道Vanguard(威兆)Vanguard(威兆)的LOGO611.15 Kbytes共6页VSE090N10MS的PDF下载地址
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VSE090N10MSVanguard(威兆)连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:103mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W 类型:N沟道5+:¥0.766
50+:¥0.5661
150+:¥0.5293
500+:¥0.4926
2500+:¥0.4763
5000+:¥0.4682