VSD050P10MS
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):34A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:62mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W 类型:P沟道
VSD050P10MS的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)34A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻62mΩ @ 10A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)100W
类型P沟道
VSD050P10MS
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型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
VSD050P10MS | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):34A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:62mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W 类型:P沟道 | Vanguard(威兆) |  | 608.68 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
VSD050P10MS的全球分销商及价格
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 立创商城 | VSD050P10MS | Vanguard(威兆) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):34A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:62mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W 类型:P沟道 | 1+:¥2.55 10+:¥1.87 30+:¥1.75 100+:¥1.62 500+:¥1.57 1000+:¥1.54
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