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VS80N08AT /连续漏极电流(Id)(25°C 时):83A(Tc) 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 类型:N沟道
VS80N08AT的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)80V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)83A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻8mΩ @ 40A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)150W(Tc)

类型N沟道

供应商VS80N08AT
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VS80N08AT连续漏极电流(Id)(25°C 时):83A(Tc) 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 类型:N沟道Vanguard(威兆)Vanguard(威兆)的LOGO747.22 Kbytes共5页VS80N08AT的PDF下载地址
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VS80N08ATVanguard(威兆)连续漏极电流(Id)(25°C 时):83A(Tc) 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 类型:N沟道1+:¥2.45
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