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VS3522AE /连续漏极电流(Id)(25°C 时):27A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:49mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):29W 类型:P沟道
VS3522AE的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)27A

栅源极阈值电压2.4V @ 250uA

漏源导通电阻49mΩ @ 10A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)29W

类型P沟道

供应商VS3522AE
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深圳市天卓伟业电子有限公司VS3522AE深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049
陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司VS3522AE深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司VS3522AE航都大厦10I0755-23990975
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VS3522AE连续漏极电流(Id)(25°C 时):27A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:49mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):29W 类型:P沟道Vanguard(威兆)Vanguard(威兆)的LOGO649.89 Kbytes共5页VS3522AE的PDF下载地址
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VS3522AEVanguard(威兆)连续漏极电流(Id)(25°C 时):27A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:49mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):29W 类型:P沟道1+:¥0.81
10+:¥0.6054
30+:¥0.5679
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500+:¥0.5136
1000+:¥0.5054