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VS150N08BT /连续漏极电流(Id)(25°C 时):155A(Tc) 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):259W(Tc) 类型:N沟道
VS150N08BT的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)80V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)155A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻6mΩ @ 80A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)259W(Tc)

类型N沟道

供应商VS150N08BT
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深圳市坤融电子有限公司VS150N08BT航都大厦10I0755-23990975
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VS150N08BT连续漏极电流(Id)(25°C 时):155A(Tc) 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):259W(Tc) 类型:N沟道Vanguard(威兆)Vanguard(威兆)的LOGO695.15 Kbytes共5页VS150N08BT的PDF下载地址
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VS150N08BTVanguard(威兆)连续漏极电流(Id)(25°C 时):155A(Tc) 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):259W(Tc) 类型:N沟道1+:¥3.69
10+:¥2.79
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