制造商:Vishay

产品种类:IGBT 模块

RoHS:是

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Half Bridge

集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V

集电极—射极饱和电压:1.72 V, 1.75 V

在25 C的连续集电极电流:142 A, 201 A

栅极—射极漏泄电流:600 nA

Pd-功率耗散:417 W, 600 W

封装 / 箱体:EMIPAK-2B

最大工作温度:+ 175 C

商标:Vishay Semiconductors

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:60

子类别:IGBTs