制造商:Vishay

产品种类:IGBT 模块

配置:Full Bridge

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:2.14 V

在25 C的连续集电极电流:107 A

栅极—射极漏泄电流:200 nA

Pd-功率耗散:403 W

封装 / 箱体:MTP

最大工作温度:+ 150 C

商标:Vishay Semiconductors

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:15

子类别:IGBTs