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VRF3933 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
VRF3933的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:20 A

Vds-漏源极击穿电压:260 V

增益:28 dB

输出功率:350 W

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

工作频率:30 MHz

工作温度范围:- 65 C to + 150 C

类型:RF Power MOSFET

商标:Microchip / Microsemi

正向跨导 - 最小值:8 mS

Pd-功率耗散:648 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:1

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:40 V

Vgs th-栅源极阈值电压:3.6 V

供应商VRF3933
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VRF3933American Microsemiconductor, Inc.RF FET - 分立半导体产品1+:¥860.59
10+:¥806.7999
50+:¥769.15
100+:¥726.12
250+:¥699.23
500+:¥688.47
1000+:¥656.2
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Digi-Key 得捷电子
VRF3933Microsemi CorporationMOSF RF N CH 250V 20A M177$112.38000
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Digi-Key 得捷电子
VRF3933MPMicrosemi CorporationMOSFET RF N-CH 250V 20A M177Active
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2:¥863.6816
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Mouser 贸泽电子
VRF3933MPMicrosemi射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)10:¥1,535.4892
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50:¥1,410.6242