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VND5T016ASPTR-E /门驱动器 Double CH High-Side 41V 16mOhm 70A
VND5T016ASPTR-E的规格信息
VND5T016ASPTR-E的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:门驱动器

RoHS:

产品:MOSFET Gate Drivers

类型:High Side

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerSO-16

激励器数量:2 Driver

输出端数量:2 Output

电源电压-最小:8 V

电源电压-最大:36 V

工作电源电流:4.5 mA

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:VND5T016ASP-E

资格:AEC-Q100

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

工作温度范围:- 40 C to + 150 C

技术:Si

商标:STMicroelectronics

最大关闭延迟时间:45 us

最大开启延迟时间:50 us

湿度敏感性:Yes

工作电源电压:24 V

产品类型:Gate Drivers

工厂包装数量:600

子类别:PMIC - Power Management ICs

供应商VND5T016ASPTR-E
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深圳市威雅利发展有限公司VND5T016ASPTR-E华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
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深圳市芯幂科技有限公司VND5T016ASPTR-E深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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朱小姐Email:szjkc618@163.com询价
深圳市雄创芯业电子科技有限公司VND5T016ASPTR-E深圳市龙岗区吉星花园7栋30613631670223徐小姐Email:13631670223@139.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司VND5T016ASPTR-E深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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VND5T016ASPTR-ESTMicroelectronicsPMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关 VIPower?? 集成电路 (IC) 半导体 门驱动器 Double CH High-Side 41V 16mOhm 70A600+:¥24.0699
1200+:¥20.3
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VND5T016ASPTR-ESTMicroelectronicsPMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关 VIPower?? 集成电路 (IC) 半导体 门驱动器 Double CH High-Side 41V 16mOhm 70A600+:¥24.0699
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VND5T016ASPTR-ESTMicroelectronicsIC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO16$5.60000
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VND5T016ASPTR-ESTMicroelectronicsPMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关 VIPower?? 集成电路 (IC) 半导体 门驱动器 Double CH High-Side 41V 16mOhm 70A600+:¥24.0699
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Mouser 贸泽电子
VND5T016ASPTR-ESTMicroelectronicsPMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关 VIPower?? 集成电路 (IC) 半导体 门驱动器 Double CH High-Side 41V 16mOhm 70A600+:¥24.0699
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Mouser 贸泽电子
VND5T016ASPTR-ESTMicroelectronics门驱动器 Double CH High-Side 41V 16mOhm 70A1:¥40.567
10:¥34.4198
100:¥29.8885
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VND5T016ASPTR-EST(意法半导体)功率开关芯片1+:¥24.08
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