FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）590A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）6V @ 110mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）2000nC @ 10V

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）50000pF @ 25V

功率耗散（最大值）2200W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）2.1 毫欧 @ 500mA，10V

工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型底座安装

供应商器件封装Y3-DCB

封装/外壳Y3-DCB

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs