标准包装：6

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 模块

系列：HiPerFET??

包装：散装

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：84A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：25 毫欧 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 8mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：450nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：15000pF @ 25V

功率 - 最大值：370W

安装类型：底座安装

封装/外壳：Y4

供应商器件封装：Y4