VBZE50P03
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:16mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):127W 类型:P沟道
VBZE50P03的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)50A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻16mΩ @ 20A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)127W
类型P沟道
VBZE50P03
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VBZE50P03 | P-Channel 30 V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | ![VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO](/PdfSupLogo/1345VBSEMI.GIF) | 626.22 Kbytes | 共8页 |  | 无 |
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