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VBZE50P03 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:16mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):127W 类型:P沟道
VBZE50P03的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)50A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻16mΩ @ 20A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)127W

类型P沟道

供应商VBZE50P03
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深圳市芯幂科技有限公司VBZE50P03深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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VBZE50P03VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:16mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):127W 类型:P沟道1+:¥1.8348
10+:¥1.3796
30+:¥1.296
100+:¥1.2123
500+:¥1.1752
1000+:¥1.1568