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商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)9A
栅源极阈值电压1V @ 450uA
漏源导通电阻10mΩ @ 8A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.5W
类型P沟道