图像仅供参考,请参阅规格书
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)5.5A,3.4A
栅源极阈值电压600mV @ 250uA,700mV @ 250uA
漏源导通电阻24mΩ @ 2.5A,10V;69mΩ @ 1.8A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.15W
类型N沟道和P沟道